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半导体器件静态特性综合试验台

2023-10-10 03:29:01  1200次浏览 次浏览
价 格:面议

u为中车集团株洲电力机车研究所定制的半导体器件静态特性综合试验台 u用于晶闸管、 整流管等半导体器件的阻断特性测试、门极特性参数VGTlGT、通态电压测试、维持电流测试,各参数均采用计算机显示, 一键式操作测试精度高,操作便捷,是半导体器件测试的必备设备。

u一、概述

uDBC-223型半导体器件静态特性综试验台的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。

u该设备具有如下特点:

u1.该测试系统是一套静态综合的测试系统,综合测试参数多,技术水平较高。

u2.该测试系统是一套大电流、高电压的测试设备,对设备的电气性能要求高。

u3.该系统是一套静态参数的集成测试系统,因此该设备的结构设计较为复杂

u4.该系统的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。

u5.该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理,还能实时打印测试结果。 u6.该测试系统是半导体器件检验测试中不可缺少的专用测试设备。

u该套测试设备主要由以下几个单元组成:

u1)门极触发参数测试单元

u2)维持电流测试单元

u3)通态电压参数测试

u4)阻断参数测试单元

u5)计算机控制系统

u二、技术条件

u2-1环境要求:

uA. 环境温度:8—35℃

uB. 相对湿度:小于75%

uC. 大气压力:86Kpa—106Kpa

uD. 海拔高度:1000米以下

uE. 电网电压:AC220V±10%无严重谐波

uF. 电网频率:50Hz±1Hz

uG. 电源功率:小于5KW

uH. 供电电网功率因数:>0.9

u2-2 主要技术指标:

2-2.1 门极触发特性

1.门极触发电压:0.30—5.00V 分辨率0.01V 精度±5%±0.02V;

2.门极触发电流:10—500mA 分辨率1mA 精度±5%±1mA

3.阳极电压:12V;

4.&

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